此前realme官方公布，realme 真我 GT2大师探索版将于7月12日正式发布，近日也开始逐渐放出与新机相关的物料。

  官方将这款机型称为“年度质感旗舰”，由日本知名设计师深泽直人操刀设计，号称是“工业设计的天花板”。随着新机发布时间的日益临近，网上关于这款机型的爆料也更加密集。

  根据官网的信息，真我GT2大师探索版将搭载高通骁龙8+处理器，采用了6.7英寸的中置挖孔柔性屏，屏占比将达到94.2%，支持最高120hz的高刷，以及1.6万极的无极调光和DC调光，并将具备全局暗色模式。镜头将由一颗5000万像素的主摄以及一颗5000万像素的摄像头和一颗200万像素的摄像头组成的三摄系统。

  由于高通骁龙8的糟糕表现，以及能耗比令人失望和更高的温度，都让骁龙8这颗芯片饱受争议。为了一雪前耻，高通也是提前释出了高通骁龙8+这颗芯片。除了主频上的提升外，还将这颗芯片的代工工作交给了台积电，并且是基于台积电的4nm工艺制程打造，据说在性能提升的同时将带来更好的温度表现。

  但是realme觉得这还不够，在真我GT2大师探索版中采用了三明治立体双VC结构的散热系统，VC面积达到了4811mm2，直接将专业游戏手机上的配置搬到了旗舰机上。同时还将全球首发LPDDR5X内存，传输速率从LPDDR5的6.4Gbps提升到了8.5Gbps。

  真我GT2大师探索版的机身采用了金属中框设计，重量仅为195g，同时内置5000mAh大容量电池，并首次在手机端引入了氮化镓功率器件，实现了全链路GaN百瓦秒充，充满至100%仅需25分钟。搭配100W的氮化镓的充电头，官方宣称可将发热峰值降低85%左右。

  根据知名爆料博主在海外平台晒出的最新真我GT2大师探索版和iPhone 13 Pro的对比照片显示，基本上与此前曝光的消息一致，全新的真我GT2大师探索版将采用COP封装工艺，直接将屏幕的一部分弯折然后封装。此举极大地缩减了下边框的宽度，让边框宽度仅为2.37mm，比iPhone 13 Pro更窄，正面效果极为震撼。海外网友看到照片后给出评论“安卓领先iPhone5年”。

  结合此前的爆料，真我GT2大师探索版将采用环保素皮设计，将给用户带来极其细腻的握持手感。并且配以金属铆钉装饰，配合硬箱造型的直角金属中框，真机散发着一种优雅的气质。

  从工业设计上来说，realme 真我GT2大师探索版已经做到了领先同行的水准，如果真如传言中所说，这款机型的起售价将从3000元起跳，那么在市场上将会极具竞争力。