随着英特尔Alder Lake支持DDR5内存，意味着DDR5将全面进入商用状态，下一代的也开始提上日程。三星在近日的技术日活动上表示，他们已经在开发下一代的DDR6内存，包括前面提到的DDR6内存，GDDR6+、GDDR7和HBM3等下一代内存技术。

  下一代的DDR6已经在早期开发阶段，未来会取代DDR5。考虑到DDR4内存使用约6年时间，DDR5到DDR6应该也会持续大约5年，最快2025年上市时间。

  Computerbase从三星方面获得新一代内存的信息，三星认为DDR6内存的JEDEC标准会达到12800Mbps，超频条的频率可能会到17000Mbps、甚至突破20000Mbps，目前DDR6的标准各家目前还在一同讨论中，预计在2024年完成。每个模组DDR6内存的通道数和现在的DDR5相比再次翻倍，变成16bit*4，bank数量增加到最多64个。

  显存方面，三星透露用于取代GDDR6的GDDR6+计划，三星计划在11月采用1znm开始试产GDDR6+，频率可达24Gbps，并成为下一代GPU的配置。如果能达到24Gbps频率的话，搭配320/352/384bit位宽的显卡，其带宽就能超过1TB/s，256bit的GPU的带宽也能到768GB/s。

  三星预计新一代的GDDR7显存可提供最高达32Gbps的传输速度，并支持实时错误保护技术，但三星没有对其进行详细说明规格参数。三星计划在2022年第二季度开始投产HBM3内存，速度达800GB/s，未来将应用于HPC和数据中心GPU/CPU系统中。

  目前，DDR5内存海处于初期阶段，4800Mbps的起步频率并不高，但传闻DDR5菹i高可以做到超10000Mbps。三星方面认为不久后，DDR5的频率就会提升到JEDEC标准的6400Mbps，超频条的频率可达到8400Mbps。现在也有厂商已经把DDR5内存的频率提升到7000Mbps。